氫氧化鈣的活性主要受以下因素的影響:
一、生產(chǎn)工藝因素
1,煅燒溫度與時間
石灰石(碳酸鈣)煅燒是生產(chǎn)氫氧化鈣的重要步驟。如果煅燒溫度過高或時間過長,會導致生成的氧化鈣(CaO)晶格缺陷減少、晶粒長大。這樣的氧化鈣在消化(與水反應生成氫氧化鈣)過程中,反應活性會降低。例如,當煅燒溫度超過
1200℃時,生成的氧化鈣結構致密,與水反應的活性明顯下降。
相反,適當?shù)撵褵郎囟群蜁r間可以使生成的氧化鈣具有較多的晶格缺陷和較小的晶粒尺寸,從而提高其消化生成氫氧化鈣后的活性。一般來說,煅燒溫度在 900 - 1000℃較為合適。
2,消化條件
消化用水的溫度和質量對氫氧化鈣活性有顯著影響。使用熱水進行消化,氧化鈣與水的反應速度會加快,生成的氫氧化鈣顆粒更細,活性更高。例如,在 60 - 80℃的熱水中消化氧化鈣,得到的氫氧化鈣比在常溫水中消化得到的產(chǎn)品活性要好。
消化過程中的攪拌強度也很重要。充分攪拌可以使氧化鈣與水充分接觸,反應更加均勻,防止局部過熱或過濃現(xiàn)象,有助于提高氫氧化鈣的活性。如果攪拌不充分,可能會導致氧化鈣消化不完全,生成的氫氧化鈣中夾雜未反應的氧化鈣,影響其活性。
3,添加劑的使用
在生產(chǎn)過程中添加某些添加劑可以改善氫氧化鈣的活性。例如,添加少量的表面活性劑可以改變氫氧化鈣顆粒的表面性質,使其在應用過程中更容易分散,從而提高其反應活性。另外,添加一些晶型控制劑可以調節(jié)氫氧化鈣的結晶形態(tài),使其形成更有利于反應的晶型,進而提高活性。

二、儲存條件因素
1,濕度
氫氧化鈣是一種強堿性物質,容易吸收空氣中的水分。如果儲存環(huán)境濕度較高,氫氧化鈣會吸收水分發(fā)生潮解,表面會形成一層氫氧化鈣溶液。這層溶液會阻礙氫氧化鈣顆粒與外界物質的有效接觸,從而降低其反應活性。例如,在相對濕度超過
80% 的環(huán)境中儲存,氫氧化鈣的活性會在數(shù)周內(nèi)明顯下降。
2,溫度
高溫環(huán)境可能會導致氫氧化鈣發(fā)生一些化學變化,影響其活性。雖然氫氧化鈣在常溫下比較穩(wěn)定,但在較高溫度(如超過
500℃)下,氫氧化鈣可能會發(fā)生分解反應,生成氧化鈣和水,這顯然會改變其化學組成和活性。另外,溫度的波動也可能會引起氫氧化鈣的結塊,降低其分散性和反應活性。
3,儲存時間
隨著儲存時間的延長,氫氧化鈣的活性會逐漸降低。這主要是因為氫氧化鈣會與空氣中的二氧化碳發(fā)生反應,生成碳酸鈣。碳酸鈣的活性遠低于氫氧化鈣,而且會覆蓋在氫氧化鈣顆粒表面,阻止氫氧化鈣與其他物質的接觸和反應。一般來說,在正常儲存條件下,儲存一年后,氫氧化鈣的活性可能會降低
30% - 50%。

三、顆粒特性因素
1,顆粒大小
顆粒細小的氫氧化鈣具有更大的比表面積,能夠提供更多的反應位點,從而具有更高的活性。例如,納米級氫氧化鈣的活性遠高于微米級氫氧化鈣。因為納米級顆粒的比表面積大,在相同質量下,與其他物質接觸的面積更大,反應更容易發(fā)生。
2,顆粒形狀
氫氧化鈣顆粒的形狀也會影響其活性。如果顆粒形狀不規(guī)則,表面粗糙,那么它在與其他物質接觸時,接觸面積會相對較大,有利于提高反應活性。相比之下,球形顆粒的接觸面積相對較小,在其他條件相同的情況下,活性可能會稍低。